창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VS-GB100TP120N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | VS-GB100TP120N | |
PCN 설계/사양 | Plating Material Chg 03/Feb/2016 | |
PCN 포장 | PowerModules_2DBarcode Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 모듈 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | - | |
구성 | 하프브리지 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 200A | |
전력 - 최대 | 650W | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 5mA | |
입력 정전 용량(Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V | |
입력 | 표준 | |
NTC 서미스터 | 없음 | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | INT-A-Pak | |
공급 장치 패키지 | INT-A-PAK | |
표준 포장 | 24 | |
다른 이름 | VSGB100TP120N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | VS-GB100TP120N | |
관련 링크 | VS-GB10, VS-GB100TP120N Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 416F25035AAR | 25MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25035AAR.pdf | |
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![]() | J7TKN-A-9 | CONTACTOR | J7TKN-A-9.pdf | |
![]() | CMF55536K00FHEB | RES 536K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55536K00FHEB.pdf | |
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![]() | DP11SHN20B20P | DP11S HOR 20P NDET 20P M7*7MM | DP11SHN20B20P.pdf | |
![]() | P51-300-S-C-I12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Sealed Gauge Male - M12 x 1.5 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-300-S-C-I12-20MA-000-000.pdf |