창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-VN0109N3-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | VN0109 | |
PCN 조립/원산지 | Additional Fabrication Site 03/Sep/2014 Fab Site Addition 14/Aug/2014 Assembly Site Add 8/Jun/2016 Supertex 03/Aug/2016 | |
PCN 포장 | Label and Packing Changes 23/Sep/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Microchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 90V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 350mA(Tj) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 65pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | VN0109N3-G | |
관련 링크 | VN010, VN0109N3-G Datasheet, Microchip Technology Distributor |
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![]() | SR151C681KARTR1 | 680pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR151C681KARTR1.pdf | |
![]() | AU031A121KA72A | 120pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | AU031A121KA72A.pdf | |
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![]() | BK/MDA-V-8/10-R | FUSE CERM 800MA 250VAC 3AB 3AG | BK/MDA-V-8/10-R.pdf | |
![]() | ABM3-33.000MHZ-B4Y-T | 33MHz ±30ppm 수정 18pF 25옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM3-33.000MHZ-B4Y-T.pdf | |
![]() | SIT1602AC-73-XXE-26.000000E | OSC XO 26MHZ OE | SIT1602AC-73-XXE-26.000000E.pdf | |
![]() | GBPC3506W-G | RECT BRIDGE GPP 600V 35A GBPCW | GBPC3506W-G.pdf | |
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