ON Semiconductor VEC2616-TL-H
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- VEC2616-TL-H
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- ON Semiconductor
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- FET - 어레이
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- MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8
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VEC2616-TL-H 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-VEC2616-TL-H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | VEC2616 | |
| PCN 설계/사양 | Wire/Mold Compound Update 03/Jun/2015 Wire/Mold Compound Revision 06/Jul/2015 Wire/Mold Compound Revision 13/Aug/2015 Copper Wire Update 14/Sep/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Wafer Fab Site 11/Aug/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | N 및 P-Chan | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A, 2.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 1.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.6V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 505pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VEC | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | VEC2616-TL-HOSCT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | VEC2616-TL-H | |
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