Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R303NC,LQ
- 제조업체 부품 번호
- TPN6R303NC,LQ
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TPN6R303NC,LQ 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 395.92233
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TPN6R303NC,LQ, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TPN6R303NC,LQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN6R303NC,LQ, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TPN6R303NC,LQ 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TPN6R303NC,LQ 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TPN6R303NC,LQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TPN6R303NC | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.3m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1370pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 19W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TPN6R303NCLQ TPN6R303NCLQTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TPN6R303NC,LQ | |
| 관련 링크 | TPN6R3, TPN6R303NC,LQ Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TPN6R303NC,LQ 의 관련 제품
| BS020016VZ30033AC1 | 30pF 7500V(7.5kV) 세라믹 커패시터 | BS020016VZ30033AC1.pdf | |
 | T10W6NR | 6µF Film Capacitor 1000V (1kV) Paper, Metallized Radial, Can 2.910" L x 1.910" W (73.91mm x 48.51mm), Lip | T10W6NR.pdf | |
| CD42FD433JP3 | MICA | CD42FD433JP3.pdf | |
 | VBO13-12NO2 | BRIDGE RECT SGL PHASE 1200V 18A | VBO13-12NO2.pdf | |
 | VB20120SG-M3/8W | DIODE SCHOTTKY 20A 120V TO-263AB | VB20120SG-M3/8W.pdf | |
 | SMBJ5924AE3/TR13 | DIODE ZENER 9.1V 2W SMBJ | SMBJ5924AE3/TR13.pdf | |
| T6070218B4BT | SCR FAST SW 175A 200V TO-93 | T6070218B4BT.pdf | |
| MT90C16T1-BP | 90A, 1600V THYRISTOR MODULE, T1 | MT90C16T1-BP.pdf | |
 | MG12105S-BA1MM | IGBT 1200V 150A 690W PKG S | MG12105S-BA1MM.pdf | |
| 3094-222JS | 2.2µH Unshielded Inductor 230mA 900 mOhm Max 2-SMD | 3094-222JS.pdf | |
 | EXB-N8V184JX | RES ARRAY 4 RES 180K OHM 0804 | EXB-N8V184JX.pdf | |
 | MBA02040C1789FRP00 | RES 17.8 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C1789FRP00.pdf |
