Toshiba Semiconductor and Storage TPN6R303NC,LQ
- 제조업체 부품 번호
- TPN6R303NC,LQ
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
TPN6R303NC,LQ 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 395.92233
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of TPN6R303NC,LQ, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. TPN6R303NC,LQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPN6R303NC,LQ, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- TPN6R303NC,LQ 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
TPN6R303NC,LQ 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-TPN6R303NC,LQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | TPN6R303NC | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.3m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 200µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1370pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 19W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | TPN6R303NCLQ TPN6R303NCLQTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | TPN6R303NC,LQ | |
| 관련 링크 | TPN6R3, TPN6R303NC,LQ Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
TPN6R303NC,LQ 의 관련 제품
 | UCL1A151MCL1GS | 150µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | UCL1A151MCL1GS.pdf | |
 | 04025C102MAT2A | 1000pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04025C102MAT2A.pdf | |
 | D331K20Y5PH63L2R | 330pF 100V 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D331K20Y5PH63L2R.pdf | |
 | C957U392MYVDBAWL20 | 3900pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5V(F) 방사형, 디스크 0.472" Dia(12.00mm) | C957U392MYVDBAWL20.pdf | |
| MKP385236250JI02W0 | 3600pF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.236" W (26.00mm x 6.00mm) | MKP385236250JI02W0.pdf | |
 | TAJT156K006RNJ | 15µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 1210 (3528 Metric) 3.5 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TAJT156K006RNJ.pdf | |
 | 3KASMC33AHM3_A/H | TVS DIODE 33VWM 53.3VC DO214AB | 3KASMC33AHM3_A/H.pdf | |
 | ECS-8FM-160-TR | 16MHz CMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 23mA Enable/Disable | ECS-8FM-160-TR.pdf | |
 | RS07J-GS08 | DIODE SW 600V DO219 | RS07J-GS08.pdf | |
,-SC-63.jpg) | IRFR320TRPBF | MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK | IRFR320TRPBF.pdf | |
 | CSR1206FT22L0 | RES SMD 0.022 OHM 1% 1/2W 1206 | CSR1206FT22L0.pdf | |
 | CMF551K7500DHBF | RES 1.75K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF551K7500DHBF.pdf |
