창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-TPN3R704PL,L1Q | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | TPN3R704PL | |
주요제품 | 30 V and 40 V Ultra-High Efficiency MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴@ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 0.2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 630mW | |
작동 온도 | 175°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-TSON 고급 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | TPN3R704PL,L1Q(M TPN3R704PLL1QTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | TPN3R704PL,L1Q | |
관련 링크 | TPN3R70, TPN3R704PL,L1Q Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | VJ0402D0R5DLBAP | 0.50pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R5DLBAP.pdf | |
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