창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-T95C106M025CSSS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 2A(4주) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | T95 Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 탄탈룸 커패시터 | |
제조업체 | Vishay Sprague | |
계열 | TANTAMOUNT® T95 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 10µF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 25V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 570m옴 | |
유형 | 공형 코팅 | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2812(7132 미터법) | |
크기/치수 | 0.280" L x 0.126" W(7.10mm x 3.20mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.110"(2.80mm) | |
리드 간격 | - | |
제조업체 크기 코드 | C | |
특징 | COTS(고신뢰성) | |
수명 @ 온도 | - | |
표준 포장 | 500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | T95C106M025CSSS | |
관련 링크 | T95C106, T95C106M025CSSS Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
![]() | S499D25C0HR64K7R | 4.9pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0H 방사형, 디스크 | S499D25C0HR64K7R.pdf | |
![]() | C921U151KZYDAA7317 | 150pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | C921U151KZYDAA7317.pdf | |
![]() | 445W31B30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 13pF 30옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W31B30M00000.pdf | |
![]() | 510BBB-CAAG | 170MHz ~ 250MHz LVDS XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 23mA Enable/Disable | 510BBB-CAAG.pdf | |
![]() | SIT3808AI-2-33EG | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 33mA Enable/Disable | SIT3808AI-2-33EG.pdf | |
![]() | CRCW251228K7FKEG | RES SMD 28.7K OHM 1% 1W 2512 | CRCW251228K7FKEG.pdf | |
![]() | CRG0603F510R | RES SMD 510 OHM 1% 1/10W 0603 | CRG0603F510R.pdf | |
![]() | RT1206CRC0733K2L | RES SMD 33.2KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC0733K2L.pdf | |
![]() | RT2512BKE072K8L | RES SMD 2.8K OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE072K8L.pdf | |
![]() | PTN1206E1621BST1 | RES SMD 1.62K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E1621BST1.pdf | |
![]() | Y4942V0053FF0L | RES NTWRK 2 RES 12K OHM RADIAL | Y4942V0053FF0L.pdf | |
![]() | MRS25000C5360FCT00 | RES 536 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C5360FCT00.pdf |