창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SZMMSZ5256BT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | MMSZ52zzzT1G, SZMMSZ52zzzT1G Series | |
PCN 조립/원산지 | SOD-123 Devices Assembly Site Transfer 29/Aug/2014 Assembly/Test Site Addition 07/Jan/2015 | |
PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 30V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 49옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 23V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SZMMSZ5256BT1G-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SZMMSZ5256BT1G | |
관련 링크 | SZMMSZ5, SZMMSZ5256BT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
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![]() | 06032U9R1BAT2A | 9.1pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.060" L x 0.030" W(1.52mm x 0.76mm) | 06032U9R1BAT2A.pdf | |
![]() | AQ147M360GAJME | 36pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147M360GAJME.pdf | |
![]() | GBJ2506-F | RECT BRIDGE GPP 600V 25A GBJ | GBJ2506-F.pdf | |
![]() | SMBJ4763E3/TR13 | DIODE ZENER 91V 2W SMBJ | SMBJ4763E3/TR13.pdf | |
![]() | S6006VS2TP | SCR SENS GATE 600V 6A TO-251 | S6006VS2TP.pdf | |
![]() | IRG4PH40UDPBF | IGBT 1200V 41A 160W TO247AC | IRG4PH40UDPBF.pdf | |
![]() | ERX-2SJ6R2A | RES 6.2 OHM 2W 5% AXIAL | ERX-2SJ6R2A.pdf | |
RSMF12FT10K0 | RES MO 1/2W 10K OHM 1% AXL | RSMF12FT10K0.pdf | ||
![]() | MBB02070C1654DC100 | RES 1.65M OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C1654DC100.pdf | |
![]() | E-TA2012 T 5DB N6 | RF Attenuator 5dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 5DB N6.pdf | |
![]() | B57541G1103F | NTC Thermistor 10k Bead, Glass | B57541G1103F.pdf |