창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SZBZX84B8V2LT1G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZX84zzzzLT1G, SZBZX84zzzzLT1G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 225mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SZBZX84B8V2LT1G | |
관련 링크 | SZBZX84, SZBZX84B8V2LT1G Datasheet, ON Semiconductor Distributor |
![]() | HBX103MBBCD0KR | 10000pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) | HBX103MBBCD0KR.pdf | |
![]() | SL1011A470A | GDT 470V 5KA THROUGH HOLE | SL1011A470A.pdf | |
![]() | SMLJ8.5CAE3/TR13 | TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC SMCJ | SMLJ8.5CAE3/TR13.pdf | |
![]() | 402F1921XILR | 19.2MHz ±10ppm 수정 12pF 300옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F1921XILR.pdf | |
![]() | SIT9003AI-3-18SO | 1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.5mA Standby | SIT9003AI-3-18SO.pdf | |
![]() | 15C01C-TB-E | TRANS NPN 15V 0.7A CP | 15C01C-TB-E.pdf | |
![]() | B82805A173A250 | P100725 E6.3 SMT PUSH-PULL TRANS | B82805A173A250.pdf | |
![]() | 5500R-275J | 2.7mH Unshielded Inductor 680mA 2.13 Ohm Max 2-SMD | 5500R-275J.pdf | |
![]() | RT1210CRB07348RL | RES SMD 348 OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRB07348RL.pdf | |
![]() | Y1485V0005BA9R | RES NETWORK 2 RES MULT OHM 1610 | Y1485V0005BA9R.pdf | |
![]() | H4P180RFZA | RES 180 OHM 1W 1% AXIAL | H4P180RFZA.pdf | |
![]() | P51-1000-S-W-I36-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1000-S-W-I36-4.5V-000-000.pdf |