ON Semiconductor SZ1SMB5947BT3G
- 제조업체 부품 번호
- SZ1SMB5947BT3G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 82V 3W SMB
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SZ1SMB5947BT3G 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 295.60080
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SZ1SMB5947BT3G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. SZ1SMB5947BT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SZ1SMB5947BT3G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SZ1SMB5947BT3G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SZ1SMB5947BT3G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SZ1SMB5947BT3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 82V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 160옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 62.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.5V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
| 공급 장치 패키지 | SMB | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SZ1SMB5947BT3G | |
| 관련 링크 | SZ1SMB5, SZ1SMB5947BT3G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
SZ1SMB5947BT3G 의 관련 제품
 | BFC238332133 | 0.013µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC238332133.pdf | |
 | T495D106M035ATE125 | 10µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2917 (7343 Metric) 125 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T495D106M035ATE125.pdf | |
 | ASTMHTA-10.000MHZ-XC-E-T | 10MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-10.000MHZ-XC-E-T.pdf | |
 | GDP03S060C | DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2 | GDP03S060C.pdf | |
 | SIE810DF-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK | SIE810DF-T1-E3.pdf | |
 | UP2C-221-R | 220µH Unshielded Wirewound Inductor 820mA 545 mOhm Nonstandard | UP2C-221-R.pdf | |
 | 2980694 | TERM BLOCK | 2980694.pdf | |
 | ERJ-PA3D13R0V | RES SMD 13 OHM 0.5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3D13R0V.pdf | |
 | RC1218FK-076R81L | RES SMD 6.81 OHM 1W 1812 WIDE | RC1218FK-076R81L.pdf | |
.jpg) | TNPW2512301KBEEY | RES SMD 301K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512301KBEEY.pdf | |
 | CRCW04022R67FKEDHP | RES SMD 2.67 OHM 1% 1/5W 0402 | CRCW04022R67FKEDHP.pdf | |
 | Y1365V0543QQ9U | RES ARRAY 4 RES 7.87K OHM 8SOIC | Y1365V0543QQ9U.pdf |
