창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STU10N60M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STx10N60M2 | |
주요제품 | MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II Plus | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 85W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | 497-13977-5 STU10N60M2-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STU10N60M2 | |
관련 링크 | STU10, STU10N60M2 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
08051A100GAT2A | 10pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08051A100GAT2A.pdf | ||
VJ1812Y124KBEAT4X | 0.12µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y124KBEAT4X.pdf | ||
VJ2225A182KBCAT4X | 1800pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225A182KBCAT4X.pdf | ||
SQCB7M200FATME\500 | 20pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7M200FATME\500.pdf | ||
CDV30FF392GO3 | MICA | CDV30FF392GO3.pdf | ||
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RNCF0805BKT187R | RES SMD 187 OHM 0.1% 1/8W 0805 | RNCF0805BKT187R.pdf | ||
RCS08053K09FKEA | RES SMD 3.09K OHM 1% 0.4W 0805 | RCS08053K09FKEA.pdf | ||
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