창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP5NK80Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STP5NK80Z(FP) | |
기타 관련 문서 | STP5NK80Z View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | PowerMESH™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4옴 @ 2.15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 910pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-7527-5 STP5NK80Z-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STP5NK80Z | |
관련 링크 | STP5, STP5NK80Z Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | LQW18AN19NJ80D | 19nH Unshielded Wirewound Inductor 1.4A 75 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18AN19NJ80D.pdf | |
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![]() | MCR10EZPF1002 | RES SMD 10K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZPF1002.pdf | |
![]() | MBA02040C2370FC100 | RES 237 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C2370FC100.pdf |