창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP35N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STx35N65M5 | |
제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 13.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 83nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3750pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 160W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-10080-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STP35N65M5 | |
관련 링크 | STP35, STP35N65M5 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | SIT8008AIE8-18E | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.9mA Enable/Disable | SIT8008AIE8-18E.pdf | |
![]() | BCR142WH6327XTSA1 | TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3 | BCR142WH6327XTSA1.pdf | |
![]() | 744383430082 | 820nH Shielded Molded Inductor 1.9A 92 mOhm Max 0806 (2016 Metric) | 744383430082.pdf | |
![]() | IMC1812ER3R9K | 3.9µH Unshielded Wirewound Inductor 330mA 900 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812ER3R9K.pdf | |
![]() | CDRR126NP-150MC | 15µH Shielded Inductor 3.73A 38 mOhm Max Nonstandard | CDRR126NP-150MC.pdf | |
![]() | TE1000B1R0J | RES CHAS MNT 1 OHM 5% 1000W | TE1000B1R0J.pdf | |
![]() | ERJ-S03F3573V | RES SMD 357K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F3573V.pdf | |
![]() | CRCW0201232RFKED | RES SMD 232 OHM 1% 1/20W 0201 | CRCW0201232RFKED.pdf | |
![]() | MSF4800A-14-0600-14-0600-10X-1 | SAFETY LIGHT CURTAIN | MSF4800A-14-0600-14-0600-10X-1.pdf |