창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STL16N60M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STL16N60M2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ M2 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 355m옴 @ 4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 704pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PowerFlat™(5x6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 497-16003-2 STL16N60M2-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STL16N60M2 | |
관련 링크 | STL16, STL16N60M2 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
![]() | CG2350LSTR | GDT 350V 20KA SURFACE MOUNT | CG2350LSTR.pdf | |
![]() | SIZ920DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR | SIZ920DT-T1-GE3.pdf | |
![]() | IRFRC20PBF | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | IRFRC20PBF.pdf | |
![]() | P1330R-682K | 6.8µH Unshielded Inductor 1.08A 165 mOhm Max Nonstandard | P1330R-682K.pdf | |
![]() | MCR18EZHF1304 | RES SMD 1.3M OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZHF1304.pdf | |
![]() | ERJ-S14J394U | RES SMD 390K OHM 5% 1/2W 1210 | ERJ-S14J394U.pdf | |
![]() | ERJ-S1DF9761U | RES SMD 9.76K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF9761U.pdf | |
![]() | RT1206BRE07221RL | RES SMD 221 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE07221RL.pdf | |
![]() | TNPW2010340RBETF | RES SMD 340 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010340RBETF.pdf | |
RSMF1JB110R | RES MO 1W 110 OHM 5% AXIAL | RSMF1JB110R.pdf | ||
![]() | ER587R5JT | RES 7.50 OHM 7W 5% AXIAL | ER587R5JT.pdf | |
![]() | E3S-5LE4S | LIGHT SOURCE | E3S-5LE4S.pdf |