창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD9NM50N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STD9NM50N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 560m옴 @ 3.7A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 570pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 497-7980-1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STD9NM50N | |
관련 링크 | STD9, STD9NM50N Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
![]() | TVP06B7V5CA-G | TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC SMC | TVP06B7V5CA-G.pdf | |
![]() | ELF-18D850Z | 2 Line Common Mode Choke Through Hole 1.5A DCR 274 mOhm (Typ) | ELF-18D850Z.pdf | |
![]() | MLG0603S7N5JTD25 | 7.5nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 700 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603S7N5JTD25.pdf | |
![]() | VLCF4020T-1R8N1R9 | 1.8µH Shielded Wirewound Inductor 1.97A 51 mOhm Max Nonstandard | VLCF4020T-1R8N1R9.pdf | |
![]() | 1008-182H | 1.8µH Unshielded Inductor 457mA 720 mOhm Max 2-SMD | 1008-182H.pdf | |
![]() | 1330R-00F | 150nH Unshielded Inductor 1.23A 100 mOhm Max 2-SMD | 1330R-00F.pdf | |
![]() | 6101-6E | MOUNTING HARDWARE | 6101-6E.pdf | |
![]() | MCR10EZPF5363 | RES SMD 536K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZPF5363.pdf | |
![]() | Y14880R02000D9W | RES SMD 0.02 OHM 0.5% 2W 3637 | Y14880R02000D9W.pdf | |
![]() | Y14870R00100D9W | RES SMD 0.001 OHM 0.5% 1W 2512 | Y14870R00100D9W.pdf | |
![]() | CMF552K2100FKR6 | RES 2.21K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF552K2100FKR6.pdf | |
![]() | LM89-1CIMM/NOPB | SENSOR TEMPERATURE SMBUS 8VSSOP | LM89-1CIMM/NOPB.pdf |