STMicroelectronics STD13NM60N
- 제조업체 부품 번호
- STD13NM60N
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
STD13NM60N 가격 및 조달
가능 수량
3650 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 767.99923
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of STD13NM60N, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STD13NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD13NM60N, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- STD13NM60N 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STD13NM60N 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STD13NM60N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | STB,D13NM60N Datasheet | |
| 기타 관련 문서 | STD13NM60N View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 360m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 790pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 90W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-8773-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | STD13NM60N | |
| 관련 링크 | STD13, STD13NM60N Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
STD13NM60N 의 관련 제품
 | USW0J470MDD1TP | 47µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | USW0J470MDD1TP.pdf | |
 | CBR06C508BAGAC | 0.50pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CBR06C508BAGAC.pdf | |
 | 82537110 | VARISTOR 18V 10A 0402 | 82537110.pdf | |
 | 445I25H25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 32pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I25H25M00000.pdf | |
| IXA30PG1200DHGLB-TRR | IGBT PHASELEG 1200V 30A SMPD | IXA30PG1200DHGLB-TRR.pdf | |
| R4YD | Yellow LED Indication - Discrete 2V Radial | R4YD.pdf | |
 | 744710205 | 2µH Unshielded Wirewound Inductor 5A 6.5 mOhm Radial | 744710205.pdf | |
 | SC32-120 | 12µH Unshielded Wirewound Inductor 720mA 397 mOhm Max Nonstandard | SC32-120.pdf | |
| CDEP104NP-0R2NC-50 | 220nH Shielded Inductor 18A 2.2 mOhm Max Nonstandard | CDEP104NP-0R2NC-50.pdf | |
.jpg) | RT0805CRB071K21L | RES SMD 1.21KOHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRB071K21L.pdf | |
 | ROX2SJ4R7 | RES 4.70 OHM 2W 5% AXIAL | ROX2SJ4R7.pdf | |
| P51-200-A-D-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Absolute Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-A-D-P-4.5V-000-000.pdf |
