창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQM100N10-10_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SQM100N10-10 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 185nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8050pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SQM100N10-10-GE3 SQM100N10-10-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SQM100N10-10_GE3 | |
관련 링크 | SQM100N1, SQM100N10-10_GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | C0402X5R0G473M020BC | 0.047µF 4V 세라믹 커패시터 X5R 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | C0402X5R0G473M020BC.pdf | |
![]() | 06036C224JAT2A | 0.22µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06036C224JAT2A.pdf | |
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![]() | RY613024 | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 24VDC Coil Through Hole | RY613024.pdf | |
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![]() | RC2010JK-07330KL | RES SMD 330K OHM 5% 3/4W 2010 | RC2010JK-07330KL.pdf | |
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