창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIZ728DT-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIZ728DT | |
주요제품 | PowerPAIR® | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A, 35A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.7밀리옴 @ 18A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 890pF @ 12.5V | |
전력 - 최대 | 27W, 48W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-PowerPair™ | |
공급 장치 패키지 | 6-PowerPair™ | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIZ728DT-T1-GE3TR SIZ728DTT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIZ728DT-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIZ728D, SIZ728DT-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | RG2012N-4421-D-T5 | RES SMD 4.42K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-4421-D-T5.pdf | |
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![]() | D2TO035C4R700KTE3 | RES SMD 4.7 OHM 10% 35W TO263 | D2TO035C4R700KTE3.pdf |