SiTIME SIT9003AI-2-28EO
- 제조업체 부품 번호
- SIT9003AI-2-28EO
- 제조업 자
- SiTIME
- 제품 카테고리
- 프로그래밍 가능 발진기
- 간단한 설명
- 1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 4.1mA Enable/Disable
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SIT9003AI-2-28EO 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,657.82600
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SIT9003AI-2-28EO, we specialize in all series SiTIME electronic components. SIT9003AI-2-28EO can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIT9003AI-2-28EO, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SIT9003AI-2-28EO 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIT9003AI-2-28EO 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT9003AI-2-28EO | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SiT9003 Datasheet | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT9003 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 110MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | LVCMOS, LVTTL | |
| 전압 - 공급 | 2.8V | |
| 주파수 안정도 | ±50ppm | |
| 주파수 안정도(총) | ±50ppm, ±100ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 확산 대역 대역폭 | -0.50%, 하향 확산 | |
| 전류 - 공급(최대) | 4.1mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 2.2µA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SIT9003AI-2-28EO | |
| 관련 링크 | SIT9003A, SIT9003AI-2-28EO Datasheet, SiTIME Distributor | |
SIT9003AI-2-28EO 의 관련 제품
 | UPS2ER47MED1TA | 0.47µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can 3000 Hrs @ 105°C | UPS2ER47MED1TA.pdf | |
| 279LMB016M2DE | ELECTROLYTIC | 279LMB016M2DE.pdf | |
 | VJ0603A221JXACW1BC | 220pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603A221JXACW1BC.pdf | |
 | LD061C333KAB2A | 0.033µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | LD061C333KAB2A.pdf | |
 | VJ1812Y123KBLAT4X | 0.012µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y123KBLAT4X.pdf | |
 | XRCPB24M576F0L00R0 | 24.576MHz ±100ppm 수정 6pF 150옴 -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | XRCPB24M576F0L00R0.pdf | |
 | MA-505 28.63636M-C0:(30T):ROHS | 28.63636MHz ±50ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-505 28.63636M-C0:(30T):ROHS.pdf | |
 | 416F50011CLT | 50MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50011CLT.pdf | |
| SIT8009BC-33-33E-125.000000Y | OSC XO 3.3V 125MHZ OE | SIT8009BC-33-33E-125.000000Y.pdf | |
| 510BBA148M500BAGR | 148.5MHz LVDS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 23mA Enable/Disable | 510BBA148M500BAGR.pdf | |
| 105R-331K | 330nH Unshielded Inductor 620mA 250 mOhm Max 2-SMD | 105R-331K.pdf | |
 | CMF553M1600GNBF | RES 3.16M OHM 1/2W 2% AXIAL | CMF553M1600GNBF.pdf |
