창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8008ACT7-30S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SiT8008 Datasheet SIT8008 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT8008 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 110MHz | |
기능 | 대기 | |
출력 | HCMOS, LVCMOS | |
전압 - 공급 | 3V | |
주파수 안정도 | ±20ppm | |
주파수 안정도(총) | - | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 4.5mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.063" W(2.00mm x 1.60mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4.3µA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIT8008ACT7-30S | |
관련 링크 | SIT8008, SIT8008ACT7-30S Datasheet, SiTIME Distributor |
![]() | VJ0402D1R7CXCAP | 1.7pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R7CXCAP.pdf | |
![]() | VJ1812Y221JBCAT4X | 220pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y221JBCAT4X.pdf | |
![]() | UP050CH4R7K-KEC | 4.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0H 축방향 0.087" Dia x 0.126" L(2.20mm x 3.20mm) | UP050CH4R7K-KEC.pdf | |
![]() | B32672L8103J289 | 10000pF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.276" W (18.00mm x 7.00mm) | B32672L8103J289.pdf | |
![]() | BFC238041133 | 0.013µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | BFC238041133.pdf | |
![]() | TR3C335K035C0600 | 3.3µF Molded Tantalum Capacitors 35V 2312 (6032 Metric) 600 mOhm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | TR3C335K035C0600.pdf | |
![]() | SMP33-E3/85A | TVS DIODE 33VWM 59VC SMP | SMP33-E3/85A.pdf | |
![]() | 445A32A30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 10pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A32A30M00000.pdf | |
![]() | 416F27125ADR | 27.12MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27125ADR.pdf | |
![]() | MUN5335DW1T1G | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | MUN5335DW1T1G.pdf | |
![]() | IXTA02N250HV | MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 | IXTA02N250HV.pdf | |
![]() | RT0603WRD07332RL | RES SMD 332 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RT0603WRD07332RL.pdf |