창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT3808AI-G2-33NZ-28.756000Y | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SiT3808 Datasheet | |
PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | * | |
부품 현황 | 신제품 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIT3808AI-G2-33NZ-28.756000Y | |
관련 링크 | SIT3808AI-G2-3, SIT3808AI-G2-33NZ-28.756000Y Datasheet, SiTIME Distributor |
![]() | 380LX562M100A452 | 5600µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 60 mOhm 3000 Hrs @ 85°C | 380LX562M100A452.pdf | |
![]() | W2A41C331KAT2A | 330pF Isolated Capacitor 4 Array 100V X7R 0508 (1220 Metric) 0.051" L x 0.083" W (1.30mm x 2.10mm) | W2A41C331KAT2A.pdf | |
![]() | F921C225MPA | 2.2µF Molded Tantalum Capacitors 16V 0805 (2012 Metric) 12 Ohm 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) | F921C225MPA.pdf | |
![]() | 416F384X3CTR | 38.4MHz ±15ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F384X3CTR.pdf | |
![]() | VBT2045CBP-E3/4W | DIODE SCHOTTKY 20A 45V TO-263AB | VBT2045CBP-E3/4W.pdf | |
![]() | LQG15HS1N6S02D | 1.6nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 100 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQG15HS1N6S02D.pdf | |
![]() | CDEP104NP-1R3MC-50 | 1.3µH Shielded Inductor 7.3A 11.8 mOhm Max Nonstandard | CDEP104NP-1R3MC-50.pdf | |
![]() | RG1005P-2872-D-T10 | RES SMD 28.7KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RG1005P-2872-D-T10.pdf | |
![]() | RG3216N-1621-B-T5 | RES SMD 1.62K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-1621-B-T5.pdf | |
![]() | TNPW120629R4BEEA | RES SMD 29.4 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120629R4BEEA.pdf | |
![]() | RCS0603715RFKEA | RES SMD 715 OHM 1% 1/4W 0603 | RCS0603715RFKEA.pdf | |
![]() | 26PCFFA2G | Pressure Sensor ±100 PSI (±689.48 kPa) Compound Male - 0.2" (5.08mm) Tube 0 mV ~ 100 mV (10V) 4-DIP Module | 26PCFFA2G.pdf |