창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIRA14DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIRA14DP PowerPak SO-8 Drawing | |
제품 교육 모듈 | 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 58A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.1m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1450pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 31.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIRA14DP-T1-GE3TR SIRA14DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIRA14DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIRA14D, SIRA14DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | GRM32ER61A106KA01L | 10µF 10V 세라믹 커패시터 X5R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | GRM32ER61A106KA01L.pdf | |
![]() | CBR04C120F1GAC | 12pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CBR04C120F1GAC.pdf | |
![]() | EG-2121CA 200.0000M-LGPAL0 | 200MHz LVDS SO (SAW) Oscillator Surface Mount 2.5V 30mA Enable/Disable | EG-2121CA 200.0000M-LGPAL0.pdf | |
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![]() | MX6SWT-H1-0000-000DE5 | LED Lighting XLamp® MX-6S White, Neutral 4000K 20V 60mA 120° 2-SMD, Gull Wing Tabs | MX6SWT-H1-0000-000DE5.pdf | |
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