Vishay BC Components SIHG73N60E-E3

SIHG73N60E-E3
제조업체 부품 번호
SIHG73N60E-E3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
Datesheet 다운로드
다운로드
SIHG73N60E-E3 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 10,283.23200
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SIHG73N60E-E3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SIHG73N60E-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG73N60E-E3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SIHG73N60E-E3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SIHG73N60E-E3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SIHG73N60E-E3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SIHG73N60E
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C73A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs39m옴 @ 36A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs362nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds7700pF @ 100V
전력 - 최대520W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-247-3
공급 장치 패키지TO-247AC
표준 포장 500
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SIHG73N60E-E3
관련 링크SIHG73, SIHG73N60E-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SIHG73N60E-E3 의 관련 제품
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8 QS8J12TCR.pdf
MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC IRF8513TRPBF.pdf
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK NTD4813NHT4G.pdf
22µH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 200 mOhm Max Nonstandard B82472G4223M.pdf
300nH Unshielded Inductor 178mA 11.5 Ohm Max 2-SMD 5022R-304F.pdf
RELAY GEN PURP 1393240-9.pdf
RES CHAS MNT 3 OHM 5% 175W L175J3R0.pdf
RES SMD 1.21MOHM 0.25% 1/8W 0805 RT0805CRE071M21L.pdf
RES SMD 26.675K OHM 1/5W 1506 Y145526K6750A0R.pdf
RES ARRAY 8 RES 10 OHM 16SOIC 4416P-1-100LF.pdf
RES 160 OHM 0.4W 5% AXIAL WW12JT160R.pdf
THERMISTOR SENSOR E52-THE6D-100/200C.pdf