창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHG20N50C-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIHG20N50C | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | SiHP18N50C/SiHG20N50C MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | SIL-073-2014-Rev-0 13/Jun/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 76nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2942pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
표준 포장 | 500 | |
다른 이름 | SIHG20N50CE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHG20N50C-E3 | |
관련 링크 | SIHG20, SIHG20N50C-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | ERJ-S03J222V | RES SMD 2.2K OHM 5% 1/10W 0603 | ERJ-S03J222V.pdf | |
![]() | AT0402DRE071K37L | RES SMD 1.37KOHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE071K37L.pdf | |
![]() | RT0402CRD072K32L | RES SMD 2.32K OHM 1/16W 0402 | RT0402CRD072K32L.pdf | |
![]() | TNPW0805300RBEEA | RES SMD 300 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805300RBEEA.pdf | |
![]() | RT0805BRB072K8L | RES SMD 2.8K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRB072K8L.pdf | |
![]() | ZUK0100H | 100 PPR 1.125 INCH THRU-BORE | ZUK0100H.pdf |