창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIHF7N60E-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SIHF7N60E | |
제품 교육 모듈 | High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 680pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 31W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220 풀팩(Full Pack) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | SIHF7N60EE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SIHF7N60E-E3 | |
관련 링크 | SIHF7N, SIHF7N60E-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | BFC237175273 | 0.027µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.394" L x 0.118" W (10.00mm x 3.00mm) | BFC237175273.pdf | |
![]() | CPPFXC5Z-A7BD-1.0TS | 1MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 45mA Enable/Disable | CPPFXC5Z-A7BD-1.0TS.pdf | |
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![]() | RNF12FTD10K0 | RES 10K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD10K0.pdf | |
![]() | ANT-2.4-PW-QW-UFL | 2.4GHz Whip, Straight RF Antenna 2.35GHz ~ 2.6GHz 1.6dBi Connector, U.FL Panel Mount | ANT-2.4-PW-QW-UFL.pdf | |
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![]() | HSCDRRN001NDAA3 | Pressure Sensor ±0.04 PSI (±0.25 kPa) Differential Male - 0.08" (1.93mm) Tube, Dual 0.33 V ~ 2.97 V 8-DIP (0.524", 13.30mm), Dual Ports, Same Side | HSCDRRN001NDAA3.pdf |