창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI8473EDB-T1-E1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI8473EDB | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 41m옴 @ 1A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-XFBGA, CSPBGA | |
공급 장치 패키지 | 4-Microfoot | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI8473EDB-T1-E1TR SI8473EDBT1E1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI8473EDB-T1-E1 | |
관련 링크 | SI8473E, SI8473EDB-T1-E1 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 416F38425IAR | 38.4MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38425IAR.pdf | |
![]() | MP4-1Q-4LE-4LQ-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-1Q-4LE-4LQ-00.pdf | |
![]() | SWC-3.00-17 | 17µH Unshielded Toroidal Inductor 3A 50 mOhm Radial | SWC-3.00-17.pdf | |
![]() | RT0805CRC07270KL | RES SMD 270K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRC07270KL.pdf | |
![]() | RT1210CRE074K87L | RES SMD 4.87KOHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRE074K87L.pdf | |
![]() | RCWE251260L4FKEA | RES SMD 0.0604 OHM 1% 2W 2512 | RCWE251260L4FKEA.pdf | |
![]() | HRG3216P-7871-D-T5 | RES SMD 7.87K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-7871-D-T5.pdf | |
![]() | CMF5514K900BHEB | RES 14.9K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5514K900BHEB.pdf | |
![]() | CW00510K00JS73 | RES 10K OHM 6.5W 5% AXIAL | CW00510K00JS73.pdf |