창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI7272DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI7272DP | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.3m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 22W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 이중 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI7272DP-T1-GE3TR SI7272DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI7272DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI7272D, SI7272DP-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | TAP106M020DCS | 10µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 20V Radial 2.9 Ohm 0.217" Dia (5.50mm) | TAP106M020DCS.pdf | |
![]() | FL2000132Z | 20MHz ±30ppm 수정 12pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FL2000132Z.pdf | |
![]() | HCM4928636300AGJT | 28.6363MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | HCM4928636300AGJT.pdf | |
![]() | SIT1602AI-13-33E-25.0000D | OSC XO 3.3V 25MHZ OE | SIT1602AI-13-33E-25.0000D.pdf | |
![]() | SIT8924AA-11-33E-20.000000D | OSC XO 3.3V 20MHZ OE | SIT8924AA-11-33E-20.000000D.pdf | |
![]() | 1812R-333G | 33µH Unshielded Inductor 224mA 4 Ohm Max 2-SMD | 1812R-333G.pdf | |
![]() | CRG0805F56K | RES SMD 56K OHM 1% 1/8W 0805 | CRG0805F56K.pdf | |
![]() | B20J10RE | RES 10 OHM 20W 5% AXIAL | B20J10RE.pdf | |
![]() | CP000731R00JB143 | RES 31 OHM 7W 5% AXIAL | CP000731R00JB143.pdf |