창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI5504BDC-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
PCN 단종/ EOL | SI5504BDC-T1-E3,GE3 29/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4A, 3.7A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 3.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 220pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.12W, 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | 1206-8 ChipFET™ | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI5504BDC-T1-GE3TR SI5504BDCT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI5504BDC-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI5504BD, SI5504BDC-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
![]() | MMSZ5256C-G3-18 | DIODE ZENER 30V 500MW SOD123 | MMSZ5256C-G3-18.pdf | |
![]() | WSL20108L000FEA18 | RES SMD 0.008 OHM 1% 1W 2010 | WSL20108L000FEA18.pdf | |
![]() | RC1608J5R6CS | RES SMD 5.6 OHM 5% 1/10W 0603 | RC1608J5R6CS.pdf | |
![]() | CRGV2010J120K | RES SMD 120K OHM 5% 1/2W 2010 | CRGV2010J120K.pdf | |
![]() | RT1206CRD0720R5L | RES SMD 20.5 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRD0720R5L.pdf | |
![]() | MCU08050D9530BP100 | RES SMD 953 OHM 0.1% 1/8W 0805 | MCU08050D9530BP100.pdf | |
![]() | RCS0805270KJNEA | RES SMD 270K OHM 5% 0.4W 0805 | RCS0805270KJNEA.pdf | |
![]() | 4308R-102-822LF | RES ARRAY 4 RES 8.2K OHM 8SIP | 4308R-102-822LF.pdf | |
![]() | Y1685V0059BA0R | RES NETWORK 2 RES 2K OHM 1505 | Y1685V0059BA0R.pdf | |
![]() | MBB02070C8201FRP00 | RES 8.2K OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C8201FRP00.pdf | |
![]() | MRS25000C1130FCT00 | RES 113 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C1130FCT00.pdf | |
![]() | SKY13418-485LF | RF Switch IC SP8T 3GHz 50 Ohm 14-QFN (2x2) | SKY13418-485LF.pdf |