Vishay BC Components SI5410DU-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI5410DU-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI5410DU-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
13150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 504.09216
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI5410DU-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI5410DU-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5410DU-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI5410DU-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI5410DU-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI5410DU-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI5410DU | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1656 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 6.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 32nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 31W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® CHIPFET™ 단일 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® ChipFet 단일 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI5410DU-T1-GE3TR SI5410DUT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI5410DU-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI5410D, SI5410DU-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI5410DU-T1-GE3 의 관련 제품
.jpg) | 686BPA016M | 68µF 16V Aluminum Capacitors Axial, Can 5.364 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | 686BPA016M.pdf | |
 | 930C4W2P7K-F | 2.7µF Film Capacitor 250V 400V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.866" Dia x 1.748" L (22.00mm x 44.40mm) | 930C4W2P7K-F.pdf | |
 | ASEMB-16.000MHZ-LC-T | 16MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Enable/Disable | ASEMB-16.000MHZ-LC-T.pdf | |
 | SIT1602BI-22-XXE-66.666000D | OSC XO 66.666MHZ OE | SIT1602BI-22-XXE-66.666000D.pdf | |
 | VS-20ETF02PBF | DIODE GEN PURP 200V 20A TO220AC | VS-20ETF02PBF.pdf | |
| 1N2834B | DIODE ZENER 68V 50W TO204AD | 1N2834B.pdf | |
 | B82732R2222B30 | 3.3mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2.2A DCR 110 mOhm (Typ) | B82732R2222B30.pdf | |
| 1641-181H | 180nH Shielded Molded Inductor 1.33A 47 mOhm Max Axial | 1641-181H.pdf | |
 | PT0603FR-7W0R56L | RES SMD 0.56 OHM 1% 1/5W 0603 | PT0603FR-7W0R56L.pdf | |
.jpg) | RT0603BRB07178RL | RES SMD 178 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RT0603BRB07178RL.pdf | |
 | RG2012N-1330-W-T5 | RES SMD 133 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-1330-W-T5.pdf | |
 | CMF553K9100FKEB | RES 3.91K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF553K9100FKEB.pdf |
