Vishay BC Components SI4896DY-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI4896DY-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI4896DY-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 692.38541
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI4896DY-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI4896DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4896DY-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI4896DY-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI4896DY-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4896DY-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI4896DY | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.5m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA(최소) | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 1.56W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI4896DY-T1-GE3TR SI4896DYT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI4896DY-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI4896D, SI4896DY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI4896DY-T1-GE3 의 관련 제품
 | VJ0603D680MXAAR | 68pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D680MXAAR.pdf | |
-2.jpg) | 1808JA120KAT1A | 12pF 4000V(4kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808JA120KAT1A.pdf | |
 | RGP10B-M3/54 | DIODE SW 1A 100V 150NS DO204AL | RGP10B-M3/54.pdf | |
 | MLG0402P2N5BT000 | 2.5nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 800 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | MLG0402P2N5BT000.pdf | |
 | PFC-W0805LF-03-2323-B | RES SMD 232K OHM 0.1% 1/4W 0805 | PFC-W0805LF-03-2323-B.pdf | |
.jpg) | RC2512FK-0768K1L | RES SMD 68.1K OHM 1% 1W 2512 | RC2512FK-0768K1L.pdf | |
.jpg) | RT0603WRE0728K7L | RES SMD 28.7K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRE0728K7L.pdf | |
.jpg) | SR2010JK-0727RL | RES SMD 27 OHM 5% 3/4W 2010 | SR2010JK-0727RL.pdf | |
.jpg) | RT0805WRE07562RL | RES SMD 562 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE07562RL.pdf | |
 | CPW02220R0KB14 | RES 220 OHM 2W 10% AXIAL | CPW02220R0KB14.pdf | |
 | HMC658 | RF Attenuator 20dB ±1.6dB 0 ~ 50GHz 50 Ohm Die | HMC658.pdf | |
| ATT-0298-02-SMA-02 | RF Attenuator 2dB ±0.3dB 0Hz ~ 26.5GHz 2W SMA In-Line Module | ATT-0298-02-SMA-02.pdf |
