창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI4896DY-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI4896DY | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.7A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16.5m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA(최소) | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SI4896DY-T1-GE3TR SI4896DYT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI4896DY-T1-GE3 | |
관련 링크 | SI4896D, SI4896DY-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 1812SC682KAT1A | 6800pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812SC682KAT1A.pdf | |
RH02547R00FC02 | RES CHAS MNT 47 OHM 1% 25W | RH02547R00FC02.pdf | ||
![]() | HS75 4R7 F | RES CHAS MNT 4.7 OHM 1% 75W | HS75 4R7 F.pdf | |
![]() | CR0402-FX-3001GLF | RES SMD 3K OHM 1% 1/16W 0402 | CR0402-FX-3001GLF.pdf | |
![]() | AF0402JR-0713RL | RES SMD 13 OHM 5% 1/16W 0402 | AF0402JR-0713RL.pdf | |
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![]() | RT1210FRD075K49L | RES SMD 5.49K OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD075K49L.pdf | |
![]() | D2TO020C220R0FRE3 | RES SMD 220 OHM 1% 20W TO263 | D2TO020C220R0FRE3.pdf | |
![]() | 4420P-T02-203 | RES ARRAY 19 RES 20K OHM 20SOIC | 4420P-T02-203.pdf | |
![]() | Y007564K0000B9L | RES 64K OHM 0.3W 0.1% RADIAL | Y007564K0000B9L.pdf |