Vishay BC Components SI4618DY-T1-E3
- 제조업체 부품 번호
- SI4618DY-T1-E3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI4618DY-T1-E3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 621.21946
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI4618DY-T1-E3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI4618DY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4618DY-T1-E3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI4618DY-T1-E3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI4618DY-T1-E3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI4618DY-T1-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI4618DY-T1-(G)E3 | |
| 카탈로그 페이지 | 1658 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A, 15.2A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 44nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1535pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.98W, 4.16W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | SI4618DY-T1-E3TR SI4618DYT1E3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI4618DY-T1-E3 | |
| 관련 링크 | SI4618D, SI4618DY-T1-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI4618DY-T1-E3 의 관련 제품
 | K683M20X7RH53H5 | 0.068µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K683M20X7RH53H5.pdf | |
 | 445A32A24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 10pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A32A24M57600.pdf | |
 | 416F24035ATT | 24MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24035ATT.pdf | |
 | SIT8008AI-23-33E-27.000000E | OSC XO 3.3V 27MHZ OE | SIT8008AI-23-33E-27.000000E.pdf | |
| SI4435DDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC | SI4435DDY-T1-E3.pdf | |
 | 3386R-1-103 | 10k Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | 3386R-1-103.pdf | |
 | NRS8030T220MJGJV | 22µH Shielded Wirewound Inductor 1.9A 91 mOhm Max Nonstandard | NRS8030T220MJGJV.pdf | |
 | ERJ-PA3F4421V | RES SMD 4.42K OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F4421V.pdf | |
| TLM2HDR043FTE | RES SMD 0.043 OHM 1% 3/4W 2010 | TLM2HDR043FTE.pdf | |
 | HRG3216P-2210-B-T5 | RES SMD 221 OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-2210-B-T5.pdf | |
| Y0013394K380B0L | RES 394.38K OHM 2W 0.1% RADIAL | Y0013394K380B0L.pdf | |
 | 4468CPCE20C915 | WIRELESS RF DEVEL KIT | 4468CPCE20C915.pdf |
