창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SI3443CDV-T1-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SI3443CDV | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.97A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 4.7A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.4nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 610pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SI3443CDV-T1-E3-ND SI3443CDV-T1-E3TR SI3443CDVT1E3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SI3443CDV-T1-E3 | |
관련 링크 | SI3443C, SI3443CDV-T1-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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LQH31MN4R7K03L | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 2.21 Ohm Max 1206 (3216 Metric) | LQH31MN4R7K03L.pdf | ||
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![]() | RT0805WRB0723R7L | RES SMD 23.7 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRB0723R7L.pdf | |
![]() | CRCW080524K9DKEAP | RES SMD 24.9K OHM 0.5% 1/8W 0805 | CRCW080524K9DKEAP.pdf | |
![]() | RSF1JB1R10 | RES MO 1W 1.1 OHM 5% AXIAL | RSF1JB1R10.pdf |