Vishay BC Components SI3437DV-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI3437DV-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 150V 1.4A 6-TSOP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI3437DV-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
7150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 348.41664
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI3437DV-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI3437DV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3437DV-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI3437DV-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI3437DV-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI3437DV-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI3437DV | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 1.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 510pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-TSOP | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SI3437DV-T1-GE3TR SI3437DVT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI3437DV-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI3437D, SI3437DV-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI3437DV-T1-GE3 의 관련 제품
 | MAL202128338E3 | 3.3µF 63V Aluminum Capacitors Axial, Can 44 Ohm @ 100Hz 2500 Hrs @ 85°C | MAL202128338E3.pdf | |
 | 180MXC680MEFCSN30X25 | 680µF 180V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 180MXC680MEFCSN30X25.pdf | |
-Kemet.jpg) | C1206C102JDGACTU | 1000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C102JDGACTU.pdf | |
 | 08053A181FAT2A | 180pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08053A181FAT2A.pdf | |
 | 13008-020MESA | 330µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 10V 3017 (7644 Metric) 35 mOhm 0.299" L x 0.173" W (7.60mm x 4.40mm) | 13008-020MESA.pdf | |
 | T86E227K010ESSS | 220µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 500 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86E227K010ESSS.pdf | |
 | SBRT15M50AP5-7 | DIODE SBR 50V 15A POWERDI5 | SBRT15M50AP5-7.pdf | |
 | BZX84C9V1-G3-08 | DIODE ZENER 9.1V 300MW SOT23-3 | BZX84C9V1-G3-08.pdf | |
 | 1812-561F | 560nH Unshielded Inductor 409mA 1.2 Ohm Max 2-SMD | 1812-561F.pdf | |
| MBB02070C8662DC100 | RES 86.6K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C8662DC100.pdf | |
 | Y006215R0000B9L | RES 15 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y006215R0000B9L.pdf | |
| Y15084K99000BR0L | RES 4.99K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y15084K99000BR0L.pdf |
