Vishay BC Components SI2315BDS-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SI2315BDS-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SI2315BDS-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 304.55567
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SI2315BDS-T1-GE3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI2315BDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2315BDS-T1-GE3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SI2315BDS-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SI2315BDS-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SI2315BDS-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SI2315BDS | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 3.85A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 900mV @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 715pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 750mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SI2315BDS-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SI2315BD, SI2315BDS-T1-GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SI2315BDS-T1-GE3 의 관련 제품
 | 12102U280JAT2A | 28pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) | 12102U280JAT2A.pdf | |
 | WYO332MCMERZKR | 3300pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) | WYO332MCMERZKR.pdf | |
 | ERZ-E10A102 | VARISTOR 1000V 4.5KA DISC 12.5MM | ERZ-E10A102.pdf | |
 | AM-13.560MDHE-T | 13.56MHz ±20ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | AM-13.560MDHE-T.pdf | |
 | 416F271X2CKR | 27.12MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F271X2CKR.pdf | |
 | GS1J-TP | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC | GS1J-TP.pdf | |
 | IXFT86N30T | MOSFET N-CH 300V 86A TO268 | IXFT86N30T.pdf | |
 | 9928890024 | AC/DC CONVERTER 24V 24W | 9928890024.pdf | |
 | ACPL-W345-560E | 1A Gate Driver Optical Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SO Stretched | ACPL-W345-560E.pdf | |
.jpg) | RC0201DR-075K62L | RES SMD 5.62KOHM 0.5% 1/20W 0201 | RC0201DR-075K62L.pdf | |
 | FD-42GW | M4 COAX DIFUSE REFLECT R1 RADIUS | FD-42GW.pdf | |
 | HFT1220-60R0-J | NTC Thermistor 60 0805 (2125 Metric) | HFT1220-60R0-J.pdf |
