Vishay BC Components SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3
제조업체 부품 번호
SI2301CDS-T1-E3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Datesheet 다운로드
다운로드
SI2301CDS-T1-E3 가격 및 조달

가능 수량

25150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 69.49800
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SI2301CDS-T1-E3, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SI2301CDS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2301CDS-T1-E3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SI2301CDS-T1-E3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SI2301CDS-T1-E3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SI2301CDS-T1-E3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SI2301CDS
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.1A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs112m옴 @ 2.8A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs10nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds405pF @ 10V
전력 - 최대1.6W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3(TO-236)
표준 포장 3,000
다른 이름SI2301CDS-T1-E3-ND
SI2301CDS-T1-E3TR
SI2301CDST1E3
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SI2301CDS-T1-E3
관련 링크SI2301C, SI2301CDS-T1-E3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SI2301CDS-T1-E3 의 관련 제품
100µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C LGU2G101MELZ.pdf
56000µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C E36D500LPN563TDA5N.pdf
220pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) 06035C221KAT2A.pdf
8pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) C901U809DYNDBAWL20.pdf
6.8µF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 1206 (3216 Metric) 2.7 Ohm ESR NOJS685M006RWJ.pdf
2.2µF Molded Tantalum Capacitors 25V Axial 0.110" Dia x 0.290" L (2.79mm x 7.37mm) 173D225X0025VE3.pdf
TVS DIODE 24.3VWM 41.4VC DO41 P4KE30ATR.pdf
10MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) CM309E10000000AAKT.pdf
22µH Unshielded Wirewound Inductor 3.5A 47 mOhm Max Nonstandard ASPI-1306T-220M-T.pdf
RES SMD 511K OHM 1% 1/16W 0402 RMCF0402FT511K.pdf
RES SMD 45.3 OHM 0.1% 1/4W 1206 RT1206BRC0745R3L.pdf
RES 5 OHM 10W 5% RADIAL TA810PW5R00J.pdf