창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RW2R0DAR470JT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SMT Power Resistors | |
제품 교육 모듈 | Current Sensing Resistors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Ohmite | |
계열 | RW | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 0.47 | |
허용 오차 | ±5% | |
전력(와트) | 2W | |
구성 | 권선 | |
특징 | 전류 감지 | |
온도 계수 | ±90ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
패키지/케이스 | 4524 J-리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | SMD J 리드, 함요형 | |
크기/치수 | 0.455" L x 0.240" W(11.56mm x 6.10mm) | |
높이 | 0.231"(5.87mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | RW2R0DAR470JTR RW2R0DAR470JTTR RW2R0DAR470JTTR-ND RW2R0J.470TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RW2R0DAR470JT | |
관련 링크 | RW2R0D, RW2R0DAR470JT Datasheet, Ohmite Distributor |
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![]() | VJ0805D510MXCAJ | 51pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D510MXCAJ.pdf | |
![]() | VJ1812A121KBCAT4X | 120pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A121KBCAT4X.pdf | |
![]() | FXO-HC535-16.5625 | 16.5625MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 32mA Enable/Disable | FXO-HC535-16.5625.pdf | |
![]() | DSC2010FI2-B0004 | 106.25MHz, 125MHz, 155.52MHz CMOS MEMS (Silicon) Pin Configurable Oscillator 14-VFQFN Exposed Pad 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC2010FI2-B0004.pdf | |
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![]() | PFE1100-12-054RA | AC/DC CONVERTER 12V 5V 1100W | PFE1100-12-054RA.pdf | |
![]() | VO615A-3X016 | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP | VO615A-3X016.pdf | |
![]() | RG3216P-1001-B-T1 | RES SMD 1K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-1001-B-T1.pdf | |
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