창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RTM002P02T2L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RTM002P02 | |
제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 200mA, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 50pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-723 | |
공급 장치 패키지 | VMT3 | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | RTM002P02T2LTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RTM002P02T2L | |
관련 링크 | RTM002, RTM002P02T2L Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
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![]() | CL21B334KAFNNNE | 0.33µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21B334KAFNNNE.pdf | |
![]() | GQM22M5C2H3R3BB01L | 3.3pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.80mm x 2.80mm) | GQM22M5C2H3R3BB01L.pdf | |
![]() | 12101U9R1DAT2A | 9.1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) | 12101U9R1DAT2A.pdf | |
![]() | MKP385311100JC02R0 | 0.011µF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.197" W (12.50mm x 5.00mm) | MKP385311100JC02R0.pdf | |
![]() | MKP385311250JII2B0 | 0.011µF Film Capacitor 900V 2500V (2.5kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | MKP385311250JII2B0.pdf | |
![]() | DSC1001CL1-033.3333 | 33.3333MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.7 V ~ 3.6 V 7.2mA Enable/Disable | DSC1001CL1-033.3333.pdf | |
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