Toshiba Semiconductor and Storage RN2116,LF(CB
- 제조업체 부품 번호
- RN2116,LF(CB
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RN2116,LF(CB 가격 및 조달
가능 수량
7150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 27.83503
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RN2116,LF(CB, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. RN2116,LF(CB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2116,LF(CB, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RN2116,LF(CB 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RN2116,LF(CB 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RN2116,LF(CB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RN2114-18 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-75, SOT-416 | |
| 공급 장치 패키지 | SSM | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RN2116(T5L,F,T) RN2116(T5LFT)TR RN2116(T5LFT)TR-ND RN2116,LF(CT RN2116LF(CBTR RN2116LF(CTTR RN2116LF(CTTR-ND RN2409,LF(T | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RN2116,LF(CB | |
| 관련 링크 | RN2116, RN2116,LF(CB Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
RN2116,LF(CB 의 관련 제품
 | MAL215256689E3 | 68µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C | MAL215256689E3.pdf | |
 | GRM0335C1H7R0BA01D | 7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H7R0BA01D.pdf | |
 | T591V106M035ATE120 | 10µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 35V 2917 (7343 Metric) 120 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T591V106M035ATE120.pdf | |
| SIT1602AC-83-33E-10.000000Y | OSC XO 3.3V 10MHZ OE | SIT1602AC-83-33E-10.000000Y.pdf | |
| SIT8008BI-73-XXS-100.000000E | OSC XO 100MHZ ST | SIT8008BI-73-XXS-100.000000E.pdf | |
 | EDZVT2R33B | DIODE ZENER 33V 150MW EMD2 | EDZVT2R33B.pdf | |
-MHQ-Series.jpg) | MHQ0603P27NHT000 | 27nH Unshielded Multilayer Inductor 160mA 2.2 Ohm Max 0201 (0603 Metric) | MHQ0603P27NHT000.pdf | |
| 1641-183H | 18µH Shielded Molded Inductor 305mA 890 mOhm Max Axial | 1641-183H.pdf | |
 | ERJ-12SF6492U | RES SMD 64.9K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-12SF6492U.pdf | |
 | PAT0805E7232BST1 | RES SMD 72.3K OHM 0.1% 1/5W 0805 | PAT0805E7232BST1.pdf | |
 | CP000550R00JB14 | RES 50 OHM 5W 5% AXIAL | CP000550R00JB14.pdf | |
 | HMC7911LP5E | RF IC Upconverter 17.5GHz ~ 19.7GHz 32-LFCSP (5x5) | HMC7911LP5E.pdf |
