Toshiba Semiconductor and Storage RN2107ACT(TPL3)
- 제조업체 부품 번호
- RN2107ACT(TPL3)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RN2107ACT(TPL3) 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 61.28180
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RN2107ACT(TPL3), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. RN2107ACT(TPL3) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN2107ACT(TPL3), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RN2107ACT(TPL3) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RN2107ACT(TPL3) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RN2107ACT(TPL3) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RN2107ACT-09ACT | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 80mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-101, SOT-883 | |
| 공급 장치 패키지 | CST3 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | RN2107ACT(TPL3)TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RN2107ACT(TPL3) | |
| 관련 링크 | RN2107A, RN2107ACT(TPL3) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
RN2107ACT(TPL3) 의 관련 제품
 | 199D336X5025E6V1E3 | 33µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V Radial 0.339" Dia (8.60mm) | 199D336X5025E6V1E3.pdf | |
 | B88069X3320T502 | GDT 800V THROUGH HOLE | B88069X3320T502.pdf | |
 | 445C33E13M00000 | 13MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C33E13M00000.pdf | |
| S4924-564K | 560µH Shielded Inductor 171mA 10.5 Ohm Max Nonstandard | S4924-564K.pdf | |
 | MCR100JZHF86R6 | RES SMD 86.6 OHM 1% 1W 2512 | MCR100JZHF86R6.pdf | |
.jpg) | RC0402DR-0754R9L | RES SMD 54.9 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RC0402DR-0754R9L.pdf | |
| RT0402DRE07221RL | RES SMD 221 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRE07221RL.pdf | |
| RT0402CRD0744K2L | RES SMD 44.2K OHM 1/16W 0402 | RT0402CRD0744K2L.pdf | |
.jpg) | RT2010FKE07158RL | RES SMD 158 OHM 1% 1/2W 2010 | RT2010FKE07158RL.pdf | |
.jpg) | RT1206CRC0737R4L | RES SMD 37.4 OHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC0737R4L.pdf | |
,-0612.jpg) | PRG3216P-3832-D-T5 | RES SMD 38.3K OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-3832-D-T5.pdf | |
.jpg) | RT0805WRB07365RL | RES SMD 365 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRB07365RL.pdf |
