Toshiba Semiconductor and Storage RN1412TE85LF
- 제조업체 부품 번호
- RN1412TE85LF
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RN1412TE85LF 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 35.33587
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RN1412TE85LF, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. RN1412TE85LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RN1412TE85LF, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RN1412TE85LF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RN1412TE85LF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RN1412TE85LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RN14(12,13) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 22k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | S-Mini | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RN1412(TE85L,F) RN1412TE85LFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RN1412TE85LF | |
| 관련 링크 | RN1412, RN1412TE85LF Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
RN1412TE85LF 의 관련 제품
 | UVZ1J331MPD1TD | 330µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVZ1J331MPD1TD.pdf | |
 | 36D431F200AB2A | 430µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 1000 Hrs @ 85°C | 36D431F200AB2A.pdf | |
| VJ0805D910GLAAC | 91pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D910GLAAC.pdf | |
 | 1.5KE30A-B | TVS DIODE 25.6VWM 41.4VC AXIAL | 1.5KE30A-B.pdf | |
| 402F50022IKR | 50MHz ±20ppm 수정 8pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F50022IKR.pdf | |
 | ES1A-M3/5AT | DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC | ES1A-M3/5AT.pdf | |
 | DMJT9435-13 | TRANS PNP 30V 3A SOT-223 | DMJT9435-13.pdf | |
 | RN122-0.6-02 | 47mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 600mA (Typ) DCR 1.18 Ohm (Typ) | RN122-0.6-02.pdf | |
| IMC2220ER182J | 1.8mH Unshielded Inductor 60mA 30 Ohm Max 2220 (5650 Metric) | IMC2220ER182J.pdf | |
 | HS200 1R J | RES CHAS MNT 1 OHM 5% 200W | HS200 1R J.pdf | |
 | CRCW08051R82FKTA | RES SMD 1.82 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08051R82FKTA.pdf | |
 | IPSS-C0072-5C | Pressure Sensor -14.5 PSI ~ 275.57 PSI (-100 kPa ~ 1900 kPa) Compound Male - 3/4" (19.05mm) BSP 4 mA ~ 20 mA Cylinder | IPSS-C0072-5C.pdf |
