창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJP60D0DPP-M0#T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RJP60D0DPP-M0 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | - | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 45A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | - | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 22A | |
전력 - 최대 | 35W | |
스위칭 에너지 | - | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 45nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 35ns/90ns | |
테스트 조건 | 300V, 22A, 5 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-220FL | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | RJP60D0DPPM0T2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RJP60D0DPP-M0#T2 | |
관련 링크 | RJP60D0D, RJP60D0DPP-M0#T2 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor |
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![]() | BF014G0562K-- | 5600pF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.295" L x 0.098" W (7.50mm x 2.50mm) | BF014G0562K--.pdf | |
![]() | 416F32023CKR | 32MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32023CKR.pdf | |
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![]() | CRGH0805F6K98 | RES SMD 6.98K OHM 1% 1/3W 0805 | CRGH0805F6K98.pdf | |
![]() | P51-3000-S-AD-I12-5V-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-3000-S-AD-I12-5V-000-000.pdf | |
![]() | P51-750-A-L-MD-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 750 PSI (5171.07 kPa) Absolute Female - M10 x 1.25 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-750-A-L-MD-4.5OVP-000-000.pdf |