Renesas Electronics America RJH1CF6RDPQ-80#T2
- 제조업체 부품 번호
- RJH1CF6RDPQ-80#T2
- 제조업 자
- Renesas Electronics America
- 제품 카테고리
- IGBT - 단일
- 간단한 설명
- IGBT 1200V 55A 227.2W TO247
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RJH1CF6RDPQ-80#T2 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 7,265.00000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RJH1CF6RDPQ-80#T2, we specialize in all series Renesas Electronics America electronic components. RJH1CF6RDPQ-80#T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJH1CF6RDPQ-80#T2, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RJH1CF6RDPQ-80#T2 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RJH1CF6RDPQ-80#T2 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RJH1CF6RDPQ-80#T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RJH1CF6RDPQ-80 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | - | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 55A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | - | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A | |
| 전력 - 최대 | 227.2W | |
| 스위칭 에너지 | - | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | - | |
| Td(온/오프) @ 25°C | - | |
| 테스트 조건 | - | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RJH1CF6RDPQ-80#T2 | |
| 관련 링크 | RJH1CF6R, RJH1CF6RDPQ-80#T2 Datasheet, Renesas Electronics America Distributor | |
RJH1CF6RDPQ-80#T2 의 관련 제품
 | FG24X5R1E226MRT06 | 22µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 방사 0.177" L x 0.118" W(4.50mm x 3.00mm) | FG24X5R1E226MRT06.pdf | |
 | T520B336M008ATE040 | 33µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 8V 1411 (3528 Metric) 40 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | T520B336M008ATE040.pdf | |
 | 416F38433IDT | 38.4MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38433IDT.pdf | |
 | SIT1602AI-33-33E-33.000000T | OSC XO 3.3V 33MHZ OE | SIT1602AI-33-33E-33.000000T.pdf | |
| SIT8256AC-G2-33E-156.253906T | OSC XO 3.3V 156.253906MHZ OE | SIT8256AC-G2-33E-156.253906T.pdf | |
 | AX97-40330 | 33µH Unshielded Wirewound Inductor 3.5A 60 mOhm Max Nonstandard | AX97-40330.pdf | |
 | HF1008-332G | 3.3µH Unshielded Inductor 280mA 1.9 Ohm Max Nonstandard | HF1008-332G.pdf | |
.jpg) | AC2010JK-071ML | RES SMD 1M OHM 5% 3/4W 2010 | AC2010JK-071ML.pdf | |
| LVC25JR510EV | RES SMD 0.51 OHM 5% 1W 2512 | LVC25JR510EV.pdf | |
.jpg) | TNPW2010432RBEEY | RES SMD 432 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010432RBEEY.pdf | |
 | CRA04S04382R0JTD | RES ARRAY 2 RES 82 OHM 0404 | CRA04S04382R0JTD.pdf | |
| P51-50-G-AA-I12-20MA-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Vented Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-50-G-AA-I12-20MA-000-000.pdf |
