창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RGT8NS65DGTL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | RGT8NS65D | |
제품 교육 모듈 | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 650V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 8A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 12A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A | |
전력 - 최대 | 65W | |
스위칭 에너지 | - | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 13.5nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 17ns/69ns | |
테스트 조건 | 400V, 4A, 50옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 40ns | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | LPDS(TO-263S) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | RGT8NS65DGTLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | RGT8NS65DGTL | |
관련 링크 | RGT8NS, RGT8NS65DGTL Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
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![]() | 416F50011CDR | 50MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50011CDR.pdf | |
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![]() | RMCF0603FG17K8 | RES SMD 17.8K OHM 1% 1/10W 0603 | RMCF0603FG17K8.pdf | |
![]() | RP73PF1J9K09BTDF | RES SMD 9.09K OHM 0.1% 1/6W 0603 | RP73PF1J9K09BTDF.pdf | |
![]() | AT0603DRE074K53L | RES SMD 4.53KOHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRE074K53L.pdf | |
![]() | PF2203-0R033J1 | RES 0.033 OHM 35W 5% TO220 | PF2203-0R033J1.pdf | |
![]() | P51-3000-S-AA-I12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 3000 PSI (20684.27 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-3000-S-AA-I12-4.5V-000-000.pdf |