Rohm Semiconductor RB162MM-30TR
- 제조업체 부품 번호
- RB162MM-30TR
- 제조업 자
- Rohm Semiconductor
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE SCHOTTKY 30V 1A PMDU
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
RB162MM-30TR 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 88.03080
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of RB162MM-30TR, we specialize in all series Rohm Semiconductor electronic components. RB162MM-30TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RB162MM-30TR, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- RB162MM-30TR 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RB162MM-30TR 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RB162MM-30TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | RB162MM-30 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 1A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 520mV @ 1A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 30V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123F | |
| 공급 장치 패키지 | PMDU | |
| 작동 온도 - 접합 | 150°C(최대) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RB162MM-30TRTR RB162MM-30TRTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | RB162MM-30TR | |
| 관련 링크 | RB162M, RB162MM-30TR Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor | |
RB162MM-30TR 의 관련 제품
 | B43504A2397M80 | 390µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 330 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504A2397M80.pdf | |
 | GJM0225C1E9R2CB01L | 9.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GJM0225C1E9R2CB01L.pdf | |
| VJ0805D6R8BXXAP | 6.8pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D6R8BXXAP.pdf | |
| TS286F11CET | 28.63636MHz ±10ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS286F11CET.pdf | |
 | 416F50025CDR | 50MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F50025CDR.pdf | |
 | 5022-181H | 180nH Unshielded Inductor 2.915A 43 mOhm Max 2-SMD | 5022-181H.pdf | |
 | HF1008-121F | 120nH Unshielded Inductor 405mA 910 mOhm Max Nonstandard | HF1008-121F.pdf | |
| PTHF50R-30SM | 50µH Shielded Toroidal Inductor 1.81A 100 mOhm Max Nonstandard | PTHF50R-30SM.pdf | |
.jpg) | RT2010FKE071K82L | RES SMD 1.82K OHM 1% 1/2W 2010 | RT2010FKE071K82L.pdf | |
 | RG2012P-2741-W-T5 | RES SMD 2.74KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-2741-W-T5.pdf | |
| Y4485V0001BT9L | RES NETWORK 2 RES 10K OHM 1610 | Y4485V0001BT9L.pdf | |
| TA810PW39K0JE | RES 39K OHM 10W 5% RADIAL | TA810PW39K0JE.pdf |
