Laird Technologies IAS R2T58W-19-RTNC
- 제조업체 부품 번호
- R2T58W-19-RTNC
- 제조업 자
- Laird Technologies IAS
- 제품 카테고리
- RF 안테나
- 간단한 설명
- 5.4GHz WLAN Panel RF Antenna 4.94GHz ~ 5.85GHz 19dBi Connector, RP-TNC Bracket Mount
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
R2T58W-19-RTNC 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 73,625.00000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of R2T58W-19-RTNC, we specialize in all series Laird Technologies IAS electronic components. R2T58W-19-RTNC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for R2T58W-19-RTNC, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- R2T58W-19-RTNC 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
R2T58W-19-RTNC 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-R2T58W-19-RTNC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | R2T58 RooTenna | |
| 종류 | RF/IF 및 RFID | |
| 제품군 | RF 안테나 | |
| 제조업체 | Laird Technologies IAS | |
| 계열 | RooTenna™ | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 주파수 그룹 | SHF(f > 4GHz) | |
| 주파수(중앙/대역) | 5.4GHz | |
| 주파수 범위 | 4.94GHz ~ 5.85GHz | |
| 안테나 유형 | 패널 | |
| 대역 개수 | 1 | |
| VSWR | 1.5 | |
| 반사 손실 | - | |
| 이득 | 19dBi | |
| 전력 - 최대 | 20W | |
| 특징 | - | |
| 종단 | 커넥터, RP-TNC | |
| 침투 보호 | - | |
| 실장 유형 | 브라켓 실장 | |
| 높이(최대) | 3.504"(89.00mm) | |
| 응용 제품 | WLAN | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | R2T58W-19-RTNC | |
| 관련 링크 | R2T58W-, R2T58W-19-RTNC Datasheet, Laird Technologies IAS Distributor | |
R2T58W-19-RTNC 의 관련 제품
 | 04023D153KAQ2A | 0.015µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04023D153KAQ2A.pdf | |
 | 173D275X9010U | 2.7µF Molded Tantalum Capacitors 10V Axial 0.095" Dia x 0.260" L (2.41mm x 6.60mm) | 173D275X9010U.pdf | |
 | TH3D476K016E0600 | 47µF Molded Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TH3D476K016E0600.pdf | |
 | STTH8S12D | DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC | STTH8S12D.pdf | |
 | DFE252010P-R47M=P2 | 470nH Shielded Wirewound Inductor 5A 35 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | DFE252010P-R47M=P2.pdf | |
 | 7447471022 | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 8.2A 8.8 mOhm Max Radial | 7447471022.pdf | |
-TDK.jpg) | MLF2012C820KT000 | 82µH Shielded Multilayer Inductor 2mA 3 Ohm Max 0805 (2012 Metric) | MLF2012C820KT000.pdf | |
 | LQH32MN270J23L | 27µH Unshielded Wirewound Inductor 125mA 3.1 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | LQH32MN270J23L.pdf | |
| 3C91CTX | Optoisolator Transistor Output 1000VDC 1 Channel TO-72-4 | 3C91CTX.pdf | |
.jpg) | RT0805DRE0761K9L | RES SMD 61.9K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE0761K9L.pdf | |
.jpg) | RT0816R-332-M | RES SMD 3.3K OHM 20% 1/16W 0603 | RT0816R-332-M.pdf | |
 | RNF14FAD82K5 | RES 82.5K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FAD82K5.pdf |
