창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-QS8J12TCR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | QS8J12 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 4.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4200pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 550mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | TSMT8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | QS8J12TCR | |
관련 링크 | QS8J, QS8J12TCR Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
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![]() | RT1206FRE07100RL | RES SMD 100 OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRE07100RL.pdf | |
![]() | RG3216N-4321-D-T5 | RES SMD 4.32K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216N-4321-D-T5.pdf | |
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![]() | WSL12062L000FEA18 | RES SMD 0.002 OHM 1% 1/2W 1206 | WSL12062L000FEA18.pdf | |
![]() | CA0002510R0JE66 | RES 510 OHM 2W 5% AXIAL | CA0002510R0JE66.pdf | |
![]() | P51-15-A-J-M12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 15 PSI (103.42 kPa) Absolute Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-15-A-J-M12-4.5OVP-000-000.pdf |