NXP Semiconductors PSMN1R5-40ES,127
_SOT226-Pkg.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- PSMN1R5-40ES,127
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PSMN1R5-40ES,127 가격 및 조달
가능 수량
6140 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,890.42000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PSMN1R5-40ES,127, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. PSMN1R5-40ES,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN1R5-40ES,127, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PSMN1R5-40ES,127 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PSMN1R5-40ES,127 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN1R5-40ES,127 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PSMN1R5-40ES | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 136nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9710pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 338W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 568-6717 568-6717-5 568-6717-ND 934065161127 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN1R5-40ES,127 | |
| 관련 링크 | PSMN1R5-, PSMN1R5-40ES,127 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
PSMN1R5-40ES,127 의 관련 제품
 | GRM1885C2A8R5DA01D | 8.5pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C2A8R5DA01D.pdf | |
 | TS120F11CDT | 12MHz ±10ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS120F11CDT.pdf | |
 | STB7NK80ZT4 | MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK | STB7NK80ZT4.pdf | |
.jpg) | LQP02HQ9N1J02E | 9.1nH Unshielded Thin Film Inductor 300mA 500 mOhm Max 01005 (0402 Metric) | LQP02HQ9N1J02E.pdf | |
 | 1210R-332G | 3.3µH Unshielded Inductor 393mA 1.2 Ohm Max 2-SMD | 1210R-332G.pdf | |
 | RN73C2A33R2BTDF | RES SMD 33.2 OHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A33R2BTDF.pdf | |
 | MCR10ERTF6800 | RES SMD 680 OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10ERTF6800.pdf | |
 | CRCW12101K91FKTA | RES SMD 1.91K OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12101K91FKTA.pdf | |
| Y1172374R000T9R | RES SMD 374 OHM 0.01% 1/10W 0805 | Y1172374R000T9R.pdf | |
| MLH05KPSB10A | Pressure Sensor 5000 PSI (34473.79 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder, Metal | MLH05KPSB10A.pdf | |
| P51-200-S-P-M12-5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - M20 x 1.5 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-200-S-P-M12-5V-000-000.pdf | |
 | NCP1236DD65R2G | Converter Offline Flyback Topology 65kHz 7-SOIC | NCP1236DD65R2G.pdf |
