NXP Semiconductors PSMN057-200B,118
- 제조업체 부품 번호
- PSMN057-200B,118
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PSMN057-200B,118 가격 및 조달
가능 수량
1950 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 887.79525
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PSMN057-200B,118, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. PSMN057-200B,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN057-200B,118, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PSMN057-200B,118 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PSMN057-200B,118 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN057-200B,118 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | PSMN057-200B | |
| PCN 조립/원산지 | Alternative Leadframe Supplier 17/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | TrenchMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 39A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 57m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3750pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | 568-5952-2 934056599118 PSMN057-200B /T3 PSMN057-200B /T3-ND PSMN057-200B,118-ND PSMN057200B118 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN057-200B,118 | |
| 관련 링크 | PSMN057-, PSMN057-200B,118 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
PSMN057-200B,118 의 관련 제품
 | GRM1555C1E1R2CZ01D | 1.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E1R2CZ01D.pdf | |
 | SL1024B260RG | GDT 260V 20KA T/H FAIL SHORT | SL1024B260RG.pdf | |
| CPPC4-A7BR-27.03TS | 27.03MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 45mA Enable/Disable | CPPC4-A7BR-27.03TS.pdf | |
 | SIT3808AI-C-33SZ | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 33mA Standby | SIT3808AI-C-33SZ.pdf | |
 | VS-20TQ040STRRPBF | DIODE SCHOTTKY 20A D2PAK | VS-20TQ040STRRPBF.pdf | |
| 9406-24 | 10µH Shielded Inductor 380mA 1.5 Ohm Max Radial - 4 Leads | 9406-24.pdf | |
 | CRCW2512169RFKEG | RES SMD 169 OHM 1% 1W 2512 | CRCW2512169RFKEG.pdf | |
 | MCR10EZHFLR620 | RES SMD 0.62 OHM 1% 1/4W 0805 | MCR10EZHFLR620.pdf | |
 | RCP1206B75R0GEB | RES SMD 75 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B75R0GEB.pdf | |
| RS010560R0JE73 | RES 560OHM 10W 5% WW AXIAL | RS010560R0JE73.pdf | |
| P51-50-G-J-MD-20MA-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Vented Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-50-G-J-MD-20MA-000-000.pdf | |
| E2E-S05S12-WC-B1 2M | Inductive Proximity Sensor 0.047" (1.2mm) IP67 Cylinder, Threaded - M5 | E2E-S05S12-WC-B1 2M.pdf |
