NXP Semiconductors PMGD280UN,115

PMGD280UN,115
제조업체 부품 번호
PMGD280UN,115
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP
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내부 부품 번호EIS-PMGD280UN,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서PMGD280UN
PCN 설계/사양Resin Hardener 02/Jul/2013
PCN 포장Lighter Reels 02/Jan/2014
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
카탈로그 페이지 1502 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체NXP Semiconductors
계열TrenchMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C870mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs340m옴 @ 200mA, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs0.89nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds45pF @ 20V
전력 - 최대400mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지6-TSSOP
표준 포장 3,000
다른 이름568-2365-2
934057726115
PMGD280UN T/R
PMGD280UN115
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)PMGD280UN,115
관련 링크PMGD28, PMGD280UN,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor
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