NXP Semiconductors PH6030AL,115
- 제조업체 부품 번호
- PH6030AL,115
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
PH6030AL,115 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of PH6030AL,115, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. PH6030AL,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PH6030AL,115, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- PH6030AL,115 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PH6030AL,115 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PH6030AL,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | Computing Appl Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | TrenchMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 79A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.15V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1425pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 55W | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 934063089115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | PH6030AL,115 | |
| 관련 링크 | PH6030, PH6030AL,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
PH6030AL,115 의 관련 제품
 | B41252B8228M | 2200µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 105°C | B41252B8228M.pdf | |
 | 5AK1R0CDAAI | 1pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.157" Dia(4.00mm) | 5AK1R0CDAAI.pdf | |
 | P6KE22CAHE3/54 | TVS DIODE 18.8VWM 30.6VC DO204AC | P6KE22CAHE3/54.pdf | |
 | V3.5MLA1206H | VARISTOR 5.35V 100A 1206 | V3.5MLA1206H.pdf | |
| TS286F23IDT | 28.63636MHz ±20ppm 수정 18pF 30옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS286F23IDT.pdf | |
| SIT8008BI-23-33E-27.000000G | OSC XO 3.3V 27MHZ | SIT8008BI-23-33E-27.000000G.pdf | |
 | 6100-681K-RC | 680µH Unshielded Wirewound Inductor 760mA 1.09 Ohm Max Radial | 6100-681K-RC.pdf | |
 | FOD817B300 | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP | FOD817B300.pdf | |
.jpg) | TNPW2512732KBEEG | RES SMD 732K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512732KBEEG.pdf | |
| MBB02070C4223DRP00 | RES 422K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C4223DRP00.pdf | |
 | CMF6018K200CER6 | RES 18.2K OHM 1W .25% AXIAL | CMF6018K200CER6.pdf | |
| P51-75-S-F-P-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-75-S-F-P-4.5V-000-000.pdf |
